< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Kristin De Meyer
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 sep 2020 - Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2010 → 31 jul 2020 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → 31 jul 2010
Projecten
1 - 7 of 7
- Statistische analyse en modellering van selector-vrije niet-filamentaire resistieve RAMVanaf16 jun 2014 → 25 nov 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticale IIIV Poort Overal Nanoraad MOSFETs: Procesintegratie en Contact Resistance StudieVanaf20 jan 2014 → 4 sep 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Alternatieve kanaalmaterialen voor 3-D NAND geheugenVanaf15 apr 2013 → 4 sep 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticaal Transistors: een glibberig pad naar het uiteindelijke CMOS schalenVanaf1 nov 2012 → 26 jan 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Studie van zuurstof defecten in III-V MOS componenten met behulp van elektrische en wiskundige methodenVanaf1 okt 2012 → 28 okt 2016Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Gecombineerde tunnel en Raman spectroscopy in nanoporiën voor enkel molecuul analyse.Vanaf1 okt 2011 → 30 sep 2014Financiering: FWO mandaten
- Nano-Elektro-Mechanische relais (ontwerp, fabricage, en karakterisatie)Vanaf6 sep 2011 → 19 dec 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
41 - 50 van 177
- 1.5×10-9 Ω·cm2 contact resistivity on highly doped Si:P using Ge pre-amorphization and Ti silicidation(2015)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 592 - 595 - The relationship between border traps characterized by AC admittance and BTI in III-V MOS devices(2015)
Auteurs: Abhitosh Vais, Koen Martens, Jacopo Franco, Ali Reza Alian, Marc Heyns, Guido Groeseneken, Kristin De Meyer
Pagina's: 5 - CMOS Circuitry for Low Power Ring-based Silicon Photonics Optical Link(2014)
Auteurs: Michal Rakowski, Kristin De Meyer, Michiel Steyaert
Aantal pagina's: 201 - Compressively strained SiGe band-to-band tunneling model calibration based on p-i-n diodes and prospect of strained SiGe tunneling field-effect transistors(2014)
Auteurs: Kuo-hsing Kao, Anne Verhulst, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Kristin De Meyer
Pagina's: 1 - 11 - Perspective of tunnel-FET for future low-power technology nodes(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Devin Verreck, Kristin De Meyer, Guido Groeseneken, Marc Heyns
Pagina's: 717 - 720 - Highly sensitive, low-power, 10-20Gb/s transimpedance amplifier based on cascaded CMOS inverter gain stages(2014)
Auteurs: Michal Rakowski, Kristin De Meyer, Michiel Steyaert
Pagina's: 115 - 116 - Tensile strained Ge tunnel field-effect transistors: k-p material modeling and numerical device simulation(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Mohammad Ali Pourghaderi, Kristin De Meyer
Pagina's: 44505 - A simplified method for (circular) transmission line model simulation and ultralow contact resistivity extraction(2014)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 957 - 959 - Submicron three-terminal SiGe electromechanical ohmic relay(2014)
Auteurs: Maliheh Ramezani, Kristin De Meyer
Pagina's: 1095 - 1098 - Lateral versus vertical gate-all-around FETs for beyond 7nm technologies(2014)
Auteurs: Dmitry Yakimets, Kristin De Meyer
Pagina's: 133 - 134