< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Kristin De Meyer
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 sep 2020 - Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2010 → 31 jul 2020 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → 31 jul 2010
Projecten
1 - 7 of 7
- Statistische analyse en modellering van selector-vrije niet-filamentaire resistieve RAMVanaf16 jun 2014 → 25 nov 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticale IIIV Poort Overal Nanoraad MOSFETs: Procesintegratie en Contact Resistance StudieVanaf20 jan 2014 → 4 sep 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Alternatieve kanaalmaterialen voor 3-D NAND geheugenVanaf15 apr 2013 → 4 sep 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticaal Transistors: een glibberig pad naar het uiteindelijke CMOS schalenVanaf1 nov 2012 → 26 jan 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Studie van zuurstof defecten in III-V MOS componenten met behulp van elektrische en wiskundige methodenVanaf1 okt 2012 → 28 okt 2016Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Gecombineerde tunnel en Raman spectroscopy in nanoporiën voor enkel molecuul analyse.Vanaf1 okt 2011 → 30 sep 2014Financiering: FWO mandaten
- Nano-Elektro-Mechanische relais (ontwerp, fabricage, en karakterisatie)Vanaf6 sep 2011 → 19 dec 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
21 - 30 van 177
- An analytical model of MOS admittance for border trap density extraction in high-k dielectrics of III-V MOS devices(2016)
Auteurs: Koen Martens, Kristin De Meyer
Pagina's: 4707 - 4713 - Heterostructure at CMOS source/drain: contributor or alleviator to the high access resistance problem?(2016)
Auteurs: Hao Yu, Clement Merckling, Kristin De Meyer
Pagina's: 604 - 607 - Titanium silicide on Si:P with precontact amorphization implantation treatment: contact resistivity approaching 1×10-9 Ohm-cm2(2016)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 4632 - 4641 - Record mobility (µeff ~3100 cm2/V-s) and reliability performance (Vov~0.5V for 10yr operation) of In0.53Ga0.47As MOS devices using improved surface preparation and a novel interfacial layer(2016)
Auteurs: Abhitosh Vais, Vamsi Putcha, Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 140 - 141 - Low-Resistance Titanium Contacts and Thermally Unstable Nickel Germanide Contacts on p-Type Germanium(2016)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 482 - 485 - Ultralow-resistivity CMOS contact scheme with pre-contact amorphization plus Ti (germano-)silicidation(2016)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 66 - 67 - Top-down InGaAs nanowire and Fin vertical FETs with record performance(2016)
Auteurs: Siva Ramesh, Elisabeth Camerotto, Kristin De Meyer
Pagina's: 164 - 165 - MIS or MS? Source/drain contact scheme evaluation for 7nm Si CMOS technology and beyond(2016)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 19 - 24 - Direct three-dimensional observation of the conduction in poly-Si and In1-xGaxAs 3D NAND vertical channels(2016)
Auteurs: elena Capogreco, Jan Van Houdt, Kristin De Meyer, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 192 - 193 - Multiring Circular Transmission Line Model for Ultralow Contact Resistivity Extraction(2015)
Auteurs: Hao Yu, Koen Martens, Kristin De Meyer
Pagina's: 600 - 602