< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Kristin De Meyer
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 sep 2020 - Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2010 → 31 jul 2020 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → 31 jul 2010
Projecten
1 - 7 of 7
- Statistische analyse en modellering van selector-vrije niet-filamentaire resistieve RAMVanaf16 jun 2014 → 25 nov 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticale IIIV Poort Overal Nanoraad MOSFETs: Procesintegratie en Contact Resistance StudieVanaf20 jan 2014 → 4 sep 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Alternatieve kanaalmaterialen voor 3-D NAND geheugenVanaf15 apr 2013 → 4 sep 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticaal Transistors: een glibberig pad naar het uiteindelijke CMOS schalenVanaf1 nov 2012 → 26 jan 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Studie van zuurstof defecten in III-V MOS componenten met behulp van elektrische en wiskundige methodenVanaf1 okt 2012 → 28 okt 2016Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Gecombineerde tunnel en Raman spectroscopy in nanoporiën voor enkel molecuul analyse.Vanaf1 okt 2011 → 30 sep 2014Financiering: FWO mandaten
- Nano-Elektro-Mechanische relais (ontwerp, fabricage, en karakterisatie)Vanaf6 sep 2011 → 19 dec 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 177
- Nano-Electro-Mechanical Relays (Design, Fabrication, and Characterization)(2018)
Auteurs: Maliheh Ramezani, Kristin De Meyer
- Regular and Inverted Operating Regimes in TiN/a-Si/TiOx/TiN RRAM Devices(2018)
Auteurs: Kristin De Meyer, Jan Van Houdt
Pagina's: 351 - 354 - Thermal Stability of TiN/Ti/p+-Si0.3Ge0.7 Contact With Ultralow Contact Resistivity(2018)
Auteurs: Kristin De Meyer
Pagina's: 83 - 86 - Modeling of uniform switching RRAM devices and impact of critical defects(2017)
Auteurs: Kristin De Meyer, Jan Van Houdt
Pagina's: 93 - 97 - Sub-10-9 Ohm.cm2 contact resistivity on p-SiGe achieved by Ga doping and nanosecond laser activation(2017)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 214 - 215 - Record performance top-down In0.53Ga0.47As vertical nanowire FETs and vertical nanosheets(2017)
Auteurs: Siva Ramesh, Vamsi Putcha, Kristin De Meyer
Pagina's: 409 - 412 - Ultralow resistive wrap around contact to scaled FinFET devices by using ALD-Ti contact metal(2017)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 1 - 3 - Comprehensive study of Ga Activation in Si, SiGe and Ge and 5x10Ωcm2 contact resistivity achieved on Ga doped Ge using nanosecond laser activation(2017)
Auteurs: Hao Yu, Kristin De Meyer
Pagina's: 550 - 552 - On the distribution of oxide defect levels in Al2O3 and HfO2 high-k dielectrics deposited on InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor devices studied by capacitance-voltage hysteresis(2017)
Auteurs: Vamsi Putcha, Kristin De Meyer
Pagina's: 144504 - Record performance top-down In0.53Ga0.47As vertical nanowire FETs and vertical nanosheets(2017)
Auteurs: Siva Ramesh, Tsvetan Ivanov, Vamsi Putcha, AliReza Alian, Arturo Sibaja-Hernandez, Rita Rooyackers, Elisabeth Camerotto, Alexey Milenin, Nicolo Pinna, Salim El Kazzi, et al.
Pagina's: 409 - 412