< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Kristin De Meyer
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 sep 2020 - Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2010 → 31 jul 2020 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → 31 jul 2010
Projecten
1 - 7 of 7
- Statistische analyse en modellering van selector-vrije niet-filamentaire resistieve RAMVanaf16 jun 2014 → 25 nov 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticale IIIV Poort Overal Nanoraad MOSFETs: Procesintegratie en Contact Resistance StudieVanaf20 jan 2014 → 4 sep 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Alternatieve kanaalmaterialen voor 3-D NAND geheugenVanaf15 apr 2013 → 4 sep 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticaal Transistors: een glibberig pad naar het uiteindelijke CMOS schalenVanaf1 nov 2012 → 26 jan 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Studie van zuurstof defecten in III-V MOS componenten met behulp van elektrische en wiskundige methodenVanaf1 okt 2012 → 28 okt 2016Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Gecombineerde tunnel en Raman spectroscopy in nanoporiën voor enkel molecuul analyse.Vanaf1 okt 2011 → 30 sep 2014Financiering: FWO mandaten
- Nano-Elektro-Mechanische relais (ontwerp, fabricage, en karakterisatie)Vanaf6 sep 2011 → 19 dec 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
31 - 40 van 177
- Lateral NWFET optimization for beyond 7nm nodes(2015)
Auteurs: Dmitry Yakimets, Kristin De Meyer
Pagina's: 1 - 4 - On MOS admittance modeling to study border trap capture/emission and its effect on electrical behavior of high-k/III–V MOS devices(2015)
Auteurs: Abhitosh Vais, Koen Martens, Kristin De Meyer
Pagina's: 227 - 230 - MOVPE In1-xGaxAs high mobility channel for 3-D NAND memory(2015)
Auteurs: elena Capogreco, Kristin De Meyer, Jan Van Houdt
Pagina's: 1 - 4 - Gate-all-around InGaAs nanowire FETs with peak transconductance of 2200 µS/µm at 50nm Lg using a replacement fin RMG flow(2015)
Auteurs: Niamh Waldron, Jacopo Franco, Abhitosh Vais, Clement Merckling, Kristin De Meyer
Pagina's: 3111 - 3114 - A 4×20Gb/s WDM ring-based hybrid CMOS silicon photonics transceiver(2015)
Auteurs: Michal Rakowski, Kristin De Meyer, Michiel Steyaert
Pagina's: 408 - 409 - Vertical GAAFETs for the ultimate CMOS scaling(2015)
Auteurs: Dmitry Yakimets, Kristin De Meyer
Pagina's: 1433 - 1439 - Integration and electrical evaluation of Epi-Si and Epi-SiGe channels for 3D NAND memory applications(2015)
Auteurs: elena Capogreco, Vu Luong, Kristin De Meyer, Jan Van Houdt
Pagina's: 109 - 112 - Contact reliability improvement of a poly-SiGe based nano-relay with titanium nitride coating(2015)
Auteurs: Maliheh Ramezani, Kristin De Meyer
Pagina's: 576 - 579 - Impact of starting measurement voltage relative to flat-band voltage position on the capacitance-voltage hysteresis and on the defect characterization of InGaAs/high-k metal-oxide-semiconductor stacks(2015)
Auteurs: Abhitosh Vais, Jacopo Franco, Kristin De Meyer
Pagina's: 223504 - 1.5×10-9 Ω·cm2 contact resistivity on highly doped Si:P using Ge pre-amorphization and Ti silicidation(2015)
Auteurs: Hao Yu, Marc Schaekers, Erik Rosseel, Antony Peter, Joon-Gon Lee, Woo-Bin Song, Steven Demuynck, Thomas Chiarella, Lars-Ake Ragnarsson, Stefan Kubicek, et al.
Pagina's: 592 - 595