< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Wilfried Vandervorst
- Disciplines:Toegepaste wiskunde, Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica, Atoom- en moleculaire fysica, Geofysica, Fysische geografie en omgevingsgeowetenschappen, Andere aardwetenschappen, Aquatische wetenschappen, uitdagingen en vervuiling, Geomatische ingenieurswetenschappen
Affiliaties
- Kwantum-vastestoffysica (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2019 → Heden - Kern- en Stralingsfysica (IKS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 jul 2019 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 34
- Hoge laterale- en diepte-resolutie ionenstraalanalyse van lateraal begrensde nanostructurenVanaf2 sep 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Zelf-focusserende SIMS met in-situ SPM: een paradigmaverschuiving in 3D-metrologieVanaf12 okt 2018 → 13 mei 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atom-by-atom analyse van geavanceerde halfgeleiderelementen: het ontrafelen van de fysica van atoomprobe tomografieVanaf20 aug 2018 → 22 mei 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Nano-focused Raman spectroscopie voor stess en compositie metingenVanaf31 jul 2018 → 31 jul 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Door laserondersteunde atoomprobe tomografie van oxidematerialen: veldverdampingsmechanismestudie en prestatieverbeteringVanaf15 mei 2018 → 18 dec 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Synthese en karakterisering op atomaire schaal van complexe oxides met elektronische/ionische geleidbaarheidVanaf1 jan 2018 → 31 dec 2021Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Metrologie en fysische mechanismen van 2D overgangsmetaal dichalcogenides en hun toepassing in elektronische schakelingen.Vanaf6 nov 2017 → 31 jan 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Een pad naar verbetering in de atoom probe tomografie van halfgeleiders: de dynamische evolutie van de halfgeleider emitter ontrafelenVanaf1 sep 2017 → 31 dec 2021Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Ontwikkeling en karakterisatie van nano- en micro-referentiestructuren voor 3D chemische analyseVanaf8 feb 2017 → 8 jul 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geavanceerde methodologie voor in-line elektrische karakterisatie van gedoteerde halfgeleiders in geconfineerde volumes.Vanaf1 nov 2016 → 29 aug 2023Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
11 - 20 van 482
- Apparent size effects on dopant activation in nanometer-wide Si fins(2021)
Auteurs: Steven Folkersma, Wilfried Vandervorst
- Encapsulation study of MOVPE grown InAs QDs by InP towards 1550 nm emission(2021)
Auteurs: Clement Merckling, Wilfried Vandervorst
- Surface analysis in the semiconductor industry: Present use and future possibilities(2020)
Auteurs: Wilfried Vandervorst
Pagina's: 786 - 791 - Unravelling stacking order in epitaxial bilayer MX2using 4D-STEM with unsupervised learning(2020)
Auteurs: Wilfried Vandervorst
- The impact of focused ion beam induced damage on scanning spreading resistance microscopy measurements(2020)
Auteurs: Komal Pandey, Wilfried Vandervorst
- A Correlative ToF-SIMS/SPM Methodology for Probing 3D Devices(2020)
Auteurs: Claudia Fleischmann, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 11413 - 11419 - Critical dimension metrology using Raman spectroscopy(2020)
Auteurs: Andrzej Gawlik, Wilfried Vandervorst
- Understanding the effect of confinement in scanning spreading resistance microscopy measurements(2020)
Auteurs: Komal Pandey, Wilfried Vandervorst
- A demonstration of donor passivation through direct formation of V-Asi complexes in As-doped Ge1-xSnx(2020)
Auteurs: Anurag Vohra, Wilfried Vandervorst
- Source/Drain Materials for Ge nMOS Devices: Phosphorus Activation in Epitaxial Si, Ge, Ge1-xSnx and SiyGe1-x-ySnx(2020)
Auteurs: Anurag Vohra, Wilfried Vandervorst
Patenten
1 - 10 van 10
- A method and apparatus for aligning a probe for scanning probe microscopy to the tip of a pointed sample (Inventor)
- Device for measuring surface characteristics of a material (Inventor)
- Characterization of regions with different crystallinity in materials (Inventor)
- Method for determining the shape of a sample tip for atom probe tomography (Inventor)
- A device for measuring surface characteristics of a material (Inventor)
- A method and apparatus for transmission for transmission electron (Inventor)
- A method and apparatus for aligning a probe for scanning probe microscopy to the tip of a pointed sample (Inventor)
- Method and apparatus for transmission electron microscopy (Inventor)
- A device and method for two dimensional active carrier profiling of semiconductor components (Inventor)
- A method and apparatus for transmission electron microscopy (Inventor)