< Terug naar vorige pagina

Publicatie

A demonstration of donor passivation through direct formation of V-Asi complexes in As-doped Ge1-xSnx

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN: 0021-8979
Issue: 19
Volume: 127
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education