< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Source/Drain Materials for Ge nMOS Devices: Phosphorus Activation in Epitaxial Si, Ge, Ge1-xSnx and SiyGe1-x-ySnx
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: Ecs Journal Of Solid State Science And Technology
ISSN: 2162-8769
Issue: 4
Volume: 9
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open