Physical mechanisms in ionic conductive bridging devices as studied by nanoscopic observation and manipulation. KU Leuven
De beweging van ionen in dunne lagen kan leiden tot structurele veranderingen in de lokale geleidbaarheid van het materiaal. De sterk opkomende resistieve geheugencellen danken bvb. hun werking aan ionenmigratie; op nanoschaal kan een geleidend filament worden gevormd of ontbonden in een isolerende matrix. De verandering van de weerstand van dergelijke materialen kan worden gebruikt voor het opslaan van een logische bit of voor ...