Onderzoeker
Wilfried Vandervorst
- Disciplines:Toegepaste wiskunde, Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica, Atoom- en moleculaire fysica, Geofysica, Fysische geografie en omgevingsgeowetenschappen, Andere aardwetenschappen, Aquatische wetenschappen, uitdagingen en vervuiling, Geomatische ingenieurswetenschappen
Affiliaties
- Kwantum-vastestoffysica (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2019 → Heden - Kern- en Stralingsfysica (IKS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 3 okt 2019
Projecten
1 - 10 of 34 results
- Hoge laterale- en diepte-resolutie ionenstraalanalyse van lateraal begrensde nanostructurenVanaf2 sep 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Zelf-focusserende SIMS met in-situ SPM: een paradigmaverschuiving in 3D-metrologieVanaf12 okt 2018 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atom-by-atom analyse van geavanceerde halfgeleiderelementen: het ontrafelen van de fysica van atoomprobe tomografieVanaf20 aug 2018 → 22 mei 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Nano-focused Raman spectroscopie voor stess en compositie metingenVanaf31 jul 2018 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Door laserondersteunde atoomprobe tomografie van oxidematerialen: veldverdampingsmechanismestudie en prestatieverbeteringVanaf15 mei 2018 → 18 dec 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Synthese en karakterisering op atomaire schaal van complexe oxides met elektronische/ionische geleidbaarheidVanaf1 jan 2018 → HedenFinanciering: FWO Onderzoeksproject
- Metrologie en fysische mechanismen van 2D overgangsmetaal dichalcogenides en hun toepassing in elektronische schakelingen.Vanaf6 nov 2017 → 31 jan 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Een pad naar verbetering in de atoom probe tomografie van halfgeleiders: de dynamische evolutie van de halfgeleider emitter ontrafelenVanaf1 sep 2017 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Ontwikkeling en karakterisatie van nano- en micro-referentiestructuren voor 3D chemische analyseVanaf8 feb 2017 → 8 jul 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geavanceerde methodologie voor in-line elektrische karakterisatie van gedoteerde halfgeleiders in geconfineerde volumes.Vanaf1 nov 2016 → 31 dec 2020Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
1 - 10 of 438 results
- A demonstration of donor passivation through direct formation of V-As-i complexes in As-doped Ge1-xSnx(2020)
Auteurs: Afrina Khanam, Anurag Vohra, Jonatan Slotte, Ilja Makkonen, Roger Loo, Geoffrey Pourtois, Wilfried Vandervorst
Aantal pagina's: 6 - Innovation in ion beam analysis for nanoelectronic materials(2019)
Auteurs: Grazia Laricchiuta, Wilfried Vandervorst, Johan Meersschaut
- Electrical Contact Formation in Micro Four-Point Probe Measurements(2019)
Auteurs: Steven Folkersma, Janusz Bogdanowicz, Dirch H Petersen, Ole Hansen, Henrik H Henrichsen, Peter F Nielsen, Lior Shiv, Wilfried Vandervorst
Aantal pagina's: 5 - Atomic scale observation of atom distributions in 3D devices using atom probe tomography(2019)
Auteurs: Davit Melkonyan, Wilfried Vandervorst
- Effects of buried grain boundaries in multilayer MoS2(2019)
Auteurs: Jonathan Ludwig, Ankit Nalin Mehta, Marco Mascaro, Umberto Celano, Daniele Chiappe, Hugo Bender, Wilfried Vandervorst, Kristof Paredis
Aantal pagina's: 8 - Fabrication and characterization of reference nano and micro structures for 3D chemical analysis(2019)
Auteurs: Masoud Dialameh, Wilfried Vandervorst, Natascia De Leo, Luca Boarino
- Self-focusing SIMS: A metrology solution to area selective deposition(2019)
Auteurs: Valentina Spampinato, Silvia Armini, Alexis Franquet, Thierry Cunard, Paul van der Heide, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 594 - 599Aantal pagina's: 6 - Insights into the C Distribution in Si:C/Si:C:P and the Annealing Behavior of Si:C Layers(2019)
Auteurs: Sathish Kumar Dhayalan, Thomas Nuytten, Geoffrey Pourtois, Eddy Simoen, Fabio Pezzoli, Eugenio Cinquanta, Emiliano Bonera, Roger Loo, Erik Rosseel, Andriy Hikavyy, et al.
Pagina's: P209 - P216Aantal pagina's: 8 - Low temperature epitaxial growth of Ge:B and Ge0.99Sn0.01:B source/drain for Ge pMOS devices: in-situ and conformal B-doping, selectivity towards oxide and nitride with no need for any post-epi activation treatment(2019)
Auteurs: Anurag Vohra, Clement Porret, David Kohen, Steven Folkersma, Janusz Bogdanowicz, Marc Schaekers, John Tolle, Andriy Hikavyy, Elena Capogreco, Liesbeth Witters, et al.
Aantal pagina's: 8 - Chemical vapor deposition of monolayer-thin WS2 crystals from the WF6 and H2S precursors at low deposition temperature(2019)
Auteurs: Benjamin Groven, D Claes, Ankit Nalin Mehta, H Bender, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, M Caymax, I Radu, Annelies Delabie
Aantal pagina's: 14