< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Annelies Delabie
- Disciplines:Fysische chemie, Theoretische en computationele chemie, Andere chemie, Biochemie en metabolisme, Medische biochemie en metabolisme, Atmosferische wetenschappen
Affiliaties
- Kwantumchemie en Fysicochemie (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2012 → Heden
Projecten
1 - 10 of 19
- Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagenVanaf20 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Bottom-up depositie op atomair niveau: selectieve depositie van Si-gebaseerde dielectrica en toepassing in IC manufacturingVanaf15 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturenVanaf20 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Regio-selectieve depositiemechanismes in patronen met nanoschaal afmetingenVanaf11 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursorenVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Alternatieve halfgeleider oxides voor toekomstige DRAM toepassingenVanaf25 mei 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Creëren van diëlektrische lagen op tweedimensionale (2D) halfgeleiders: chemische en fysische mechanismenVanaf18 jan 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Mechanismen en selectiviteit tijdens atomaire laagafzetting van germanium-chalcogeniden voor geheugentoepassingen van opslagklassenVanaf1 okt 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Diëlektrische nanobladen voor geschaalde tweedimensionale (2D) materiaalapparatenVanaf22 jan 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Naar grafoepitaxy van halfgeleidende 2D monokristallen op een diëlektrisch substraat voor nano-elektronische apparaten van de volgende generatieVanaf5 jan 2021 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
21 - 30 van 180
- Characterization of Ru4-xTax (x = 1,2,3) alloy as material candidate for EUV low-n mask(2021)
Auteurs: Annelies Delabie
- A chemisorbed interfacial layer for seeding atomic layer deposition on graphite(2021)
Auteurs: Anton Brown, Stefan De Gendt, Annelies Delabie, Steven De Feyter
Pagina's: 12327 - 12341 - Two-dimensional WS2 crystals at predetermined locations by anisotropic growth during atomic layer deposition(2020)
Auteurs: Marc Heyns, Annelies Delabie
- Area-Selective Deposition of Ruthenium by Area-Dependent Surface Diffusion(2020)
Auteurs: Annelies Delabie
Pagina's: 9560 - 9572 - Insight into Selective Surface Reactions of Dimethylamino-trimethylsilane for Area-Selective Deposition of Metal, Nitride, and Oxide(2020)
Auteurs: Annelies Delabie
Pagina's: 7163 - 7173 - Structural Phases of Alkanethiolate Self-Assembled Monolayers (C1-12) on Cu[100] by Density Functional Theory(2020)
Auteurs: Jan-Willem Clerix, Jeremy Harvey, Annelies Delabie
Pagina's: 3802 - 3811 - Impact of SiO2 surface composition on trimethylsilane passivation for area-selective deposition(2019)
Auteurs: Job Soethoudt, Annelies Delabie
Pagina's: 11911 - 11918 - Defect Mitigation in Area-Selective Atomic Layer Deposition of Ruthenium on Titanium Nitride/Dielectric Nanopatterns(2019)
Auteurs: Job Soethoudt, Annelies Delabie
- Chemical vapor deposition of monolayer-thin WS2 crystals from the WF6 and H2S precursors at low deposition temperature(2019)
Auteurs: Benjamin Groven, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
- Diffusion-Mediated Growth and Size-Dependent Nanoparticle Reactivity during Ruthenium Atomic Layer Deposition on Dielectric Substrates(2018)
Auteurs: Job Soethoudt, Annelies Delabie
Patenten
1 - 10 van 10
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- A method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- A method for forming a silicide gate for a semiconductor device (Inventor)
- Method of producing transition metal dichalcogenide layer (Inventor)
- Method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- Method of forming a feature of a target material on a substrate (Inventor)
- METHOD OF PRODUCING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE LAYER (Inventor)
- Method for selectively depositing noble metals on metal/metal nitride substrates (Inventor)
- Oxygen monolayer on a semiconductor (Inventor)