< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Annelies Delabie
- Disciplines:Fysische chemie, Theoretische en computationele chemie, Andere chemie, Biochemie en metabolisme, Medische biochemie en metabolisme, Atmosferische wetenschappen
Affiliaties
- Kwantumchemie en Fysicochemie (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2012 → Heden
Projecten
1 - 10 of 19
- Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagenVanaf20 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Bottom-up depositie op atomair niveau: selectieve depositie van Si-gebaseerde dielectrica en toepassing in IC manufacturingVanaf15 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturenVanaf20 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Regio-selectieve depositiemechanismes in patronen met nanoschaal afmetingenVanaf11 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursorenVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Alternatieve halfgeleider oxides voor toekomstige DRAM toepassingenVanaf25 mei 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Creëren van diëlektrische lagen op tweedimensionale (2D) halfgeleiders: chemische en fysische mechanismenVanaf18 jan 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Mechanismen en selectiviteit tijdens atomaire laagafzetting van germanium-chalcogeniden voor geheugentoepassingen van opslagklassenVanaf1 okt 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Diëlektrische nanobladen voor geschaalde tweedimensionale (2D) materiaalapparatenVanaf22 jan 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Naar grafoepitaxy van halfgeleidende 2D monokristallen op een diëlektrisch substraat voor nano-elektronische apparaten van de volgende generatieVanaf5 jan 2021 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
1 - 10 van 180
- Selectivity and Growth Rate Modulations for Ruthenium Area-selective Deposition by Co-Reagent and Nanopattern Design(2024)
Auteurs: Niels Claessens, Annelies Delabie
- Chemical Vapor Deposition of a Single-Crystalline MoS2 Monolayer through Anisotropic 2D Crystal Growth on Stepped Sapphire Surface(2024)
Auteurs: Serkan Koylan, Annelies Delabie
Pagina's: 3173 - 3186 - Future generation Photomasks for Advanced Lithography(2023)
Auteurs: Devesh Ratnakar Thakare, Annelies Delabie
- Ru/Ta bilayer approach to EUV mask absorbers: Experimental patterning and simulated imaging perspective(2023)
Auteurs: Devesh Ratnakar Thakare, Annelies Delabie
- 300 mm-wafer metrology for area-selective deposition in nanoscale patterns: A case study for ruthenium atomic layer deposition(2023)
Auteurs: Annelies Delabie
- Quantified Uniformity and Selectivity of TiO2 Films in 45-nm Half Pitch Patterns Using Area-Selective Deposition Supercycles(2023)
Auteurs: Annelies Delabie
- Probing the spatial dimensions of nanoscale patterns with Rutherford backscattering spectrometry(2023)
Auteurs: Niels Claessens, Annelies Delabie, André Vantomme, Wilfried Vandervorst, Johan Meersschaut
Pagina's: 174 - 181 - Optimizing extreme ultraviolet lithography imaging metrics as a function of absorber thickness and illumination source: a simulation case study of Ta-Co alloy(2023)
Auteurs: Annelies Delabie
- A First-Principles Investigation of the Driving Forces Defining the Selectivity of TiO2 Atomic Layer Deposition(2023)
Auteurs: Annelies Delabie
Pagina's: 10303 - 10314 - Aminosilane small molecule inhibitors for area-selective deposition: Study of substrate-inhibitor interfacial interactions(2023)
Auteurs: Jan-Willem Clerix, Annelies Delabie
Patenten
1 - 10 van 10
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- A method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- A method for forming a silicide gate for a semiconductor device (Inventor)
- Method of producing transition metal dichalcogenide layer (Inventor)
- Method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- Method of forming a feature of a target material on a substrate (Inventor)
- METHOD OF PRODUCING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE LAYER (Inventor)
- Method for selectively depositing noble metals on metal/metal nitride substrates (Inventor)
- Oxygen monolayer on a semiconductor (Inventor)