< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Annelies Delabie
- Disciplines:Fysische chemie, Theoretische en computationele chemie, Andere chemie, Biochemie en metabolisme, Medische biochemie en metabolisme, Atmosferische wetenschappen
Affiliaties
- Kwantumchemie en Fysicochemie (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2012 → Heden
Projecten
1 - 10 of 19
- Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagenVanaf20 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Bottom-up depositie op atomair niveau: selectieve depositie van Si-gebaseerde dielectrica en toepassing in IC manufacturingVanaf15 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturenVanaf20 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Regio-selectieve depositiemechanismes in patronen met nanoschaal afmetingenVanaf11 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursorenVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Alternatieve halfgeleider oxides voor toekomstige DRAM toepassingenVanaf25 mei 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Creëren van diëlektrische lagen op tweedimensionale (2D) halfgeleiders: chemische en fysische mechanismenVanaf18 jan 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Mechanismen en selectiviteit tijdens atomaire laagafzetting van germanium-chalcogeniden voor geheugentoepassingen van opslagklassenVanaf1 okt 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Diëlektrische nanobladen voor geschaalde tweedimensionale (2D) materiaalapparatenVanaf22 jan 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Naar grafoepitaxy van halfgeleidende 2D monokristallen op een diëlektrisch substraat voor nano-elektronische apparaten van de volgende generatieVanaf5 jan 2021 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
11 - 20 van 180
- In situ analysis of nucleation reactions during TiCl4/H2O atomic layer deposition on SiO2 and H-terminated Si surfaces treated with a silane small molecule inhibitor(2023)
Auteurs: Annelies Delabie
- Evaluation of Ta-Co alloys as novel high-k extreme ultraviolet mask absorber(2023)
Auteurs: Devesh Ratnakar Thakare, Annelies Delabie
- Area-selective deposition in nanoscale patterns: investigations of passivation, deposition and defect mitigation(2023)
Auteurs: Jan-Willem Clerix, Annelies Delabie
- Nucleation and growth mechanism for atomic layer deposition of Al2O3 on two-dimensional WS2 monolayer(2023)
Auteurs: Annelies Delabie
- Quantification of area-selective deposition on nanometer-scale patterns using Rutherford backscattering spectrometry(2022)
Auteurs: Niels Claessens, Annelies Delabie, André Vantomme, Wilfried Vandervorst, Johan Meersschaut
- Compatibility between polymethacrylate-based extreme ultraviolet resists and TiO2 area-selective deposition(2022)
Auteurs: Annelies Delabie
- Mechanisms for undesired nucleation on H-terminated Si and dimethylamino-trimethylsilane passivated SiO2 during TiO2 area-selective atomic layer deposition(2022)
Auteurs: Annelies Delabie
- Improving polymethacrylate EUV resists with TiO2 area-selective deposition(2022)
Auteurs: Annelies Delabie
Aantal pagina's: 9 - Evaluation of Ta-Co alloys as novel high-k EUV mask absorber(2022)
Auteurs: Devesh Ratnakar Thakare, Annelies Delabie
Aantal pagina's: 20 - Selectivity Enhancement for Ruthenium Atomic Layer Deposition in Sub-50 nm Nanopatterns by Diffusion and Size-Dependent Reactivity(2021)
Auteurs: Jan-Willem Clerix, Annelies Delabie
Patenten
1 - 10 van 10
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- A method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- A method for forming a silicide gate for a semiconductor device (Inventor)
- Method of producing transition metal dichalcogenide layer (Inventor)
- Method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- Method of forming a feature of a target material on a substrate (Inventor)
- METHOD OF PRODUCING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE LAYER (Inventor)
- Method for selectively depositing noble metals on metal/metal nitride substrates (Inventor)
- Oxygen monolayer on a semiconductor (Inventor)