Onderzoeker
Annelies Delabie
- Disciplines:Fysische chemie, Theoretische en computationele chemie, Andere chemie, Biochemie en metabolisme, Medische biochemie en metabolisme, Atmosferische wetenschappen
Affiliaties
- Kwantumchemie en Fysicochemie (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2012 → Heden
Projecten
1 - 10 of 19
- Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagenVanaf20 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Bottom-up depositie op atomair niveau: selectieve depositie van Si-gebaseerde dielectrica en toepassing in IC manufacturingVanaf15 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturenVanaf20 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Regio-selectieve depositiemechanismes in patronen met nanoschaal afmetingenVanaf11 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursorenVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Alternatieve halfgeleider oxides voor toekomstige DRAM toepassingenVanaf25 mei 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Creëren van diëlektrische lagen op tweedimensionale (2D) halfgeleiders: chemische en fysische mechanismenVanaf18 jan 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Mechanismen en selectiviteit tijdens atomaire laagafzetting van germanium-chalcogeniden voor geheugentoepassingen van opslagklassenVanaf1 okt 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Diëlektrische nanobladen voor geschaalde tweedimensionale (2D) materiaalapparatenVanaf22 jan 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Naar grafoepitaxy van halfgeleidende 2D monokristallen op een diëlektrisch substraat voor nano-elektronische apparaten van de volgende generatieVanaf5 jan 2021 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
31 - 40 van 180
- Two-Dimensional Crystal Grain Size Tuning in WS2 Atomic Layer Deposition: An Insight in the Nucleation Mechanism(2018)
Auteurs: Benjamin Groven, Johan Meersschaut, Ben Schoenaers, Andre Stesmans, Valeri Afanasiev, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
Pagina's: 7648 - 7663 - Formation mechanism of 2D SnS2 and SnS by chemical vapor deposition using SnCl4 and H2S(2018)
Auteurs: Haodong Zhang, Yashwanth Balaji, Ankit Nalin Mehta, Marc Heyns, Iuliana Radu, Wilfried Vandervorst, Annelies Delabie
Pagina's: 6172 - 6178 - Area-Selective Atomic Layer Deposition of TiN, TiO2, and HfO2 on Silicon Nitride with inhibition on Amorphous Carbon(2018)
Auteurs: Annelies Delabie
Pagina's: 3223 - 3232 - Nucleation and Growth Mechanism of 2D SnS2 by Chemical Vapor Deposition: Initial 3D Growth Followed by 2D Lateral Growth(2018)
Auteurs: Haodong Zhang, Ankit Nalin Mehta, Iuliana Radu, Wilfried Vandervorst, Annelies Delabie
- The Conversion Mechanism of Amorphous Silicon to Stoichiometric WS2(2018)
Auteurs: Markus Heyne, Iuliana Radu, Annelies Delabie, Stefan De Gendt
Pagina's: 4122 - 4130 - Nucleation Mechanism during WS2 Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition on Amorphous Al2O3 and Sapphire Substrates(2017)
Auteurs: Benjamin Groven, Ankit Nalin Mehta, Johan Meersschaut, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
Pagina's: 1 - 11 - MoS2 Functionalization with a Sub-nm Thin SiO2 Layer for Atomic Layer Deposition of High-k Dielectrics(2017)
Auteurs: Haodong Zhang, Goutham Arutchelvan, Johan Meersschaut, Abhinav Gaur, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
Pagina's: 6772 - 6780 - Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Two-Dimensional WS2 from WF6, H-2 Plasma, and H2S(2017)
Auteurs: Benjamin Groven, Markus Heyne, Johan Meersschaut, Wilfried Vandervorst, Stefan De Gendt, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
Pagina's: 2927 - 2938 - Nucleation and growth mechanisms of Al2O3 atomic layer deposition on synthetic polycrystalline MoS2(2017)
Auteurs: Haodong Zhang, Manuel Mannarino, Iuliana Radu, Wilfried Vandervorst, Annelies Delabie
Pagina's: 052810 - 052810 - A deep-level transient spectroscopy study of p-type silicon Schottky barriers containing a Si-O superlattice(2017)
Auteurs: Suseendran Jayachandran, Annelies Delabie, Marc Heyns
Pagina's: 1 - 5
Patenten
1 - 10 van 10
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- A method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- A method for forming a silicide gate for a semiconductor device (Inventor)
- Method of producing transition metal dichalcogenide layer (Inventor)
- Method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- Method of forming a feature of a target material on a substrate (Inventor)
- METHOD OF PRODUCING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE LAYER (Inventor)
- Method for selectively depositing noble metals on metal/metal nitride substrates (Inventor)
- Oxygen monolayer on a semiconductor (Inventor)