Projecten
Elektronisch gedrag in het 2D transitie-metaal-dichalcogenide MOS systeem KU Leuven
Technologische vooruitgang wordt aangedreven door het verkleinen van de
kanaallengte en de dikte van de halfgeleider die de prestaties van een MOSFET
verbeteren. 2D halfgeleiders, zoals overgangsmetaaldichalcogeniden (MX2),
zijn van der Waals (vdW) gelaagde structuren met Ć©Ć©n laag 0.7 nm dik
en zelf-beƫindigde oppervlakken zonder bungelende bindingen. Ze bieden
de belofte van ultradunne kanalen met hoge mobiliteit ...
Algoritmen voor het oplossen van 2D en 3D onregelmatige snij- en verpakkingsproblemen gebruik makend van semi-discretisatie KU Leuven
Snij- en verpakkingsproblemen, zowel in 2D als in 3D, hebben betrekking op het plaatsen van een verzameling stukken zonder overlapping binnen een of meer containers. Deze problemen komen voor in een groot aantal industriƫle toepassingen, zoals het snijden van plaatmetaal en textiel, logistiek en additieve productie (additive manufacturing). Dit proefschrift bevat efficiƫnte optimalisatiemethoden voor zowel 2D als 3D onregelmatige snij- en ...
2D + en 3D-digitalisering van cuneiform tabletten en archeologica met Camera Dome of Minidome: een nieuwe, objectieve en gedetailleerde registratiemethode om de publicatie te versnellen en objectiveren en toekomstig onderzoek te vergemakkelijken. KU Leuven
De ontwikkeling van de Camera dome-opname-infrastructuur, de software en de bijbehorende multifunctionele database zorgt voor snelle multifunctionele opname onder ideale lichtomstandigheden voor objectieve publicaties en volledige 3D-reconstructie als instrument voor archiefonderzoek.
2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappen KU Leuven
Het kleiner maken van geĆÆntegreerde schakelingen is een steeds uitdagendere taak. Om de technologische vooruitgang ook in de toekomst voor te kunnen zetten, kijken vele onderzoekers naar zogenaamde tweedimensionale (2D) materialen. Deze materialen zijn niet alleen uitzonderlijk dun, nl. slechts Ć©Ć©n of enkele atoomlagen dik, maar ze zijn ook een zeer gevarieerd klasse van materialen met heel wat mogelijke toepassingen in toekomstige ...
Ab-initio simulaties van volgende generatie componenten gemaakt van 2D of topologische isolator materialen KU Leuven
Het doel van dit doctoraatsonderzoek is om de eigenschappen van nieuwe 2-D of topologische isolator materialen te onderzoeken. Deze materialen zijn interessant voor het schalen van CMOS technologie, ofwel voor gate lengths kleiner dan 10 nm, ofwel voor nieuwe componenten zoals Tunnel-FETS. De materialen en componenten zullen worden gesimuleerd met een bestaand dissipatieve gelocaliseerde-orbitaal-basis Ab-Initio Atomair NEGF algoritme. Een ...
Krediet voor delname aan een congres in het buitenland: "Brain, Cognition and movements in MS: challenges for rehabilitation" - Tel-Aviv 27 tem 29 oktober 2019 Universiteit Hasselt
Fusie van microscopische en nanoscopische 3D gegevens met macroscopisch 2D verdelingskaarten teneinde verfdegradatie fenomenen in 17e eeuwse meesterwerken beter te begrijpen Universiteit Antwerpen
Groei- en nucleatiemechanismes van 2D halfgeleider/hoge-k dielectricum heterostructuren KU Leuven
De rijke diversiteit aan twee-dimensionele (2D) materialen en hun uitzonderlijke eigenschappen bieden zicht op tal van mogelijke toepassingen. Zo worden heterostructuren van 2D halfgeleiders en diƫlektrica onderzocht voor toepassing in nano- en opto-elektronische componenten. Een van de grootste uitdagingen bij hun industriƫle toepassing, o.a. bij het creƫren van deze heterostructuren op substraten met veel grotere afmetingen, is de noodzaak ...
2D overgangsmetaal dichalcogenides voor dan silicium logische bouwstenen: betere Metaal / MoS2-interface door moleculaire doping. KU Leuven
2D materialen hebben aangetoond een enorm potentieel te beritten vooreen groot aantal toepassingen zoals sensoren, spintronica, supergeleiders, en (foto)elektronica schakelingen. Van deze 2D materialen zijn halfgeleidende transitie metaal dichalcogeniden (MX2) van bijzonder belang voor elektronisch logische schakelingen zoals āField Effect Transistorsā (FETs), gezien hun interessante eigenschappen, zoals ultradunne natuur en een ...