Onderzoeker
Guido Groeseneken
- Trefwoorden:Elektronica en elektrotechniek
- Disciplines:Modellering, Mulitmediaverwerking, Sensoren, biosensoren en slimme sensoren, Andere elektrotechniek en elektronica, Andere ingenieurswetenschappen en technologie
Affiliaties
- Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2008 → Heden - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2001 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 25 results
- Selector voor geheugen met hoge dichtheidVanaf23 okt 2019 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Fysieke modellering en optimalisatie van ferro-elektrische FETs voor geheugentoepassingen.Vanaf10 mei 2019 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Karakterisatie en modellering van supergeleidende qubitsVanaf31 jan 2019 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- ESD-beschermingsontwerp voor RF- en mm-golfcircuits in CMOS TechnologiesVanaf4 sep 2018 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van betrouwbare poortstapels voor gestapelde MOS-apparaten in een 3D-sequentiële integratieVanaf26 sep 2017 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geünificeerd fysica-gebaseerd model van degradatie van finFETs en nanodraad FETs voor verder dan 7 nm technologieënVanaf21 sep 2017 → HedenFinanciering: FWO mandaten
- Modelleren, exploratie en technologie-evaluatie van steile sub-drempelhelling transistoren voor N5/N3 CMOS vermogen-prestatie schalingVanaf31 mrt 2017 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische karakterisatie van GaN buffers op nieuwe substratenVanaf24 feb 2017 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzetbaarheid van nanodraad tunnel-FETs met doperingsatomen voor toekomstige ultra-laag vermogen CMOS-applicaties.Vanaf1 okt 2016 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Hoge snelheids MRAM met spanningscontrole van de magnetische anisotropie (VCMA)Vanaf22 sep 2016 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 of 500 results
- Large Variation in Temperature Dependence of Band-to-Band Tunneling Current in Tunnel Devices(2019)Tijdschrift: IEEE Electron Device LettersISSN: 0741-3106Issue: 11Volume: 40
Auteurs: Jasper Bizindavyi, AS Verhulst, D Verreck, B Soree, Guido Groeseneken
Pagina's: 1864 - 1867Aantal pagina's: 4 - Ferroelectric Control of Magnetism in Ultrathin HfO2\Co\Pt Layers(2019)Tijdschrift: ACS Applied Materials and InterfacesISSN: 1944-8244Issue: 37Volume: 11
Auteurs: Bart Vermeulen, Florin Ciubotaru, Mihaela I Popovici, Johan Swerts, Sebastien Couet, Iuliana P Radu, Alexandru Stancu, Kristiaan Temst, Guido Groeseneken, Christoph Adelmann, et al.
Pagina's: 34385 - 34393Aantal pagina's: 9 - Demonstration of GaN Integrated Half-Bridge With On-Chip Drivers on 200-mm Engineered Substrates(2019)Tijdschrift: IEEE Electron Device LettersISSN: 0741-3106Issue: 9Volume: 40
Auteurs: Xiangdong Li, Karen Geens, Weiming Guo, Shuzhen You, Ming Zhao, Dirk Fahle, Vladimir Odnoblyudov, Guido Groeseneken, Stefaan Decoutere
Pagina's: 1499 - 1502Aantal pagina's: 4 - Process-Induced Power-Performance Variability in Sub-5nm III-V Tunnel FETs(2019)Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron DevicesISSN: 0018-9383Issue: 6Volume: 66
Auteurs: Yang Xiang, Anne Verhulst, Dmitry Yakimets, Bertrand Parvais, Anda Mocuta, Guido Groeseneken
Pagina's: 2802 - 2808 - Improved PBTI Reliability in Junction-Less FET Fabricated at Low Thermal Budget for 3-D Sequential Integration(2019)Tijdschrift: IEEE Transactions on Device and Materials ReliabilityISSN: 1530-4388Issue: 2Volume: 19
Auteurs: Zhicheng Wu, Jacopo Franco, Anne Vandooren, Ben Kaczer, Philippe Roussel, Gerhard Rzepa, Tibor Grasser, Dimitri Linten, Guido Groeseneken
Pagina's: 262 - 267Aantal pagina's: 6 - On the Impact of the Gate Work-Function Metal on the Charge Trapping Component of NBTI and PBTI(2019)Tijdschrift: IEEE Transactions on Device and Materials ReliabilityISSN: 1530-4388Issue: 2Volume: 19
Auteurs: J Franco, Zhicheng Wu, G Rzepa, L-A Ragnarsson, H Dekkers, A Vandooren, Guido Groeseneken, N Horiguchi, N Collaert, D Linten, et al.
Pagina's: 268 - 274Aantal pagina's: 7 - Phonon-assisted tunneling in direct-bandgap semiconductors(2019)Tijdschrift: Journal of Applied PhysicsISSN: 0021-8979Issue: 1Volume: 125
Auteurs: Mazharuddin Mohammed, Anne S Verhulst, Devin Verreck, Maarten L Van de Put, Wim Magnus, Bart Sorée, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 10 - Buffer Vertical Leakage Mechanism and Reliability of 200-mm GaN-on-SOI(2019)Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron DevicesISSN: 0018-9383Issue: 1Volume: 66
Auteurs: Xiangdong Li, Ming Zhao, Benoit Bakeroot, Karen Geens, Weiming Guo, Shuzhen You, Steve Stoffels, Vesa-Pekka Lempinen, Jaakko Sormunen, Guido Groeseneken, et al.
Pagina's: 553 - 560Aantal pagina's: 8 - Self-consistent procedure including envelope function normalization for full-zone Schrodinger-Poisson problems with transmitting boundary conditions(2018)Tijdschrift: Journal of Applied PhysicsISSN: 0021-8979Issue: 20Volume: 124
Auteurs: Devin Verreck, Anne S Verhulst, Maarten L Van de Put, Bart Sorée, Wim Magnus, Nadine Collaert, Anda Mocuta, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 9 - Impact of operating temperature on the electrical and magnetic properties of the bottom-pinned perpendicular magnetic tunnel junctions(2018)Tijdschrift: Applied Physics LettersISSN: 0003-6951Issue: 14Volume: 113
Auteurs: Yueh Chang Wu, W Kim, S Rao, K Garello, Simon Van Beek, S Couet, E Liu, J Swerts, S Kundu, L Souriau, et al.
Aantal pagina's: 5