< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Guido Groeseneken
- Disciplines:Modellering, Multimediaverwerking, Sensoren, biosensoren en slimme sensoren, Andere elektrotechniek en elektronica, Andere ingenieurswetenschappen en technologie
Affiliaties
- Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2008 → 31 jul 2020 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2001 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 29
- Transient-Geïnduceerde Latchup in het tijdperk van Systeem-Technologie Co-Optimisatie SchalingVanaf4 jun 2020 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Fundamentele en praktische aspecten van poortoxide-afbraak in VLSI-technologieën boven 7 nmVanaf4 dec 2019 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Fysieke modellering en optimalisatie van ferro-elektrische FETs voor geheugentoepassingen.Vanaf10 mei 2019 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Karakterisatie en modellering van supergeleidende qubitsVanaf31 jan 2019 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- ESD-beschermingsontwerp voor RF- en mm-golfcircuits in CMOS TechnologiesVanaf4 sep 2018 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van betrouwbare poortstapels voor gestapelde MOS-apparaten in een 3D-sequentiële integratieVanaf26 sep 2017 → 13 apr 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geünificeerd fysica-gebaseerd model van degradatie van finFETs en nanodraad FETs voor verder dan 7 nm technologieënVanaf21 sep 2017 → HedenFinanciering: FWO mandaten
- Modelleren, exploratie en technologie-evaluatie van steile sub-drempelhelling transistoren voor N5/N3 CMOS vermogen-prestatie schalingVanaf31 mrt 2017 → 31 mrt 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Betrouwbaarheid en integratie van GaN vermogenscomponenten en circuits op GaN-op-SOIVanaf24 feb 2017 → 24 nov 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzetbaarheid van nanodraad tunnel-FETs met doperingsatomen voor toekomstige ultra-laag vermogen CMOS-applicaties.Vanaf1 okt 2016 → 2 jun 2021Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
1 - 10 van 541
- LaSiOx- and Al2O3-Inserted Low-Temperature Gate-Stacks for Improved BTI Reliability in 3-D Sequential Integration(2022)
Auteurs: Zhicheng Wu, Guido Groeseneken
Pagina's: 915 - 921Aantal pagina's: 7 - Investigation of the Impact of Hot-Carrier-Induced Interface State Generation on Carrier Mobility in nMOSFET(2021)
Auteurs: Zhicheng Wu, Guido Groeseneken
Pagina's: 3246 - 3253Aantal pagina's: 8 - Modeling and Calibration of Device Non-Idealities in Steep-Slope Devices(2021)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Guido Groeseneken, Bart Sorée
- Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics(2021)
Auteurs: Zhicheng Wu, Guido Groeseneken
Pagina's: 4927 - 4930Aantal pagina's: 4 - Modeling of Repeated FET Hot-Carrier Stress and Anneal Cycles Using Si-H Bond Dissociation/Passivation Energy Distributions(2021)
Auteurs: Michiel Vandemaele, Guido Groeseneken
Pagina's: 1454 - 1460Aantal pagina's: 7 - GaN power IC design using the MIT virtual source GaNFET compact model with gate leakage and V-T instability effect(2021)
Auteurs: Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 5 - High Speed MRAM with Voltage Control of Magnetic Anisotropy (VCMA) Effect(2021)
Auteurs: Yueh Chang Wu, Guido Groeseneken, Jan Van Houdt
- Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs(2021)
Auteurs: Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 4 - Effects of Back-Gate Bias on the Mobility and Reliability of Junction-Less FDSOI Transistors for 3-D Sequential Integration(2021)
Auteurs: Zhicheng Wu, Guido Groeseneken
Pagina's: 464 - 470Aantal pagina's: 7 - Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction(2021)
Auteurs: Guido Groeseneken
Pagina's: 645 - 652Aantal pagina's: 8