< Terug naar vorige pagina
Organisatie
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems
Division
Hoofdorganisatie:Departement Elektrotechniek (ESAT)
Tijdsduur:1 aug 2020 → Heden
Organisatieprofiel:
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Trefwoorden:Integrated circuits, Processing, Submicron, VLSI, Digital design
Disciplines:Ontwerptheorieën en -methoden, Nanotechnologie
Huidige onderzoekers
1 - 10 of 23 results
- Jo De Boeck (Verantwoordelijke)
- Rohith Acharya (Lid)
- Kamal Brahim (Lid)
- Francky Catthoor (Lid)
- Jo De Boeck (Lid)
- Roger De Keersmaecker (Lid)
- Anxhela Doko (Lid)
- Max Gama Monteiro Junior (Lid)
- Benjamin Gys (Lid)
- Vaishnavi Kateel (Lid)
Projecten
1 - 10 of 53
- Ab-initio NEGF transport voor nieuwe generatie energie efficiente 2D materiaal transistoren zoals Koude-bron-, Dirac- en Van der Waals- tunnel FETsVanaf26 jan 2024 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Experimentele studie naar thermionisch 'koude' elektron- en gatenemitters in laagdimensionale materiaalsystemen voor verdere schaling van logische componentenVanaf10 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geintegreerde 3D geheugenopslag componenten met back-gating.Vanaf19 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Monte Carlo-modellering van elektronentransport in laag-dimensionale materialenVanaf18 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Hardware-efficiënte microarchitectuur en kwantumfoutcorrectiecodes voor grootschalige kwantumprocessorsVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO mandaten
- Het gebruik van qutrits en qudits voor fout tolerante kwantum computatieVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Een spintronisch apparaat met heterostructuur op basis van topologische isolatoren en laagdimensionale magnetenVanaf26 sep 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
21 - 30 van 1401
- An Asymmetrical Register File: The VWR(2010)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 199 - 222Aantal pagina's: 24 - High speed TDI embedded CCD in CMOS sensor(2016)
Auteurs: Jo Robbelein
Pagina's: 152 - Strain influence of analog performance of single-gate and FinFET SOI nMOSFETs(2008)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 84 - +Aantal pagina's: 2 - Stress simulation of embedded Si1-yCy source/drain nMOSFETs(2008)
Auteurs: Mireia Bargallo Gonzalez, Cor Claeys
Pagina's: 88 - 92 - Zero temperature coefficient behavior for advanced MOSFETs(2016)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 785 - 788 - Evidence of the prominent role of the time-under-melt parameter in the reset switching of phase-change line cells(2008)
Auteurs: Kristin De Meyer
Pagina's: 37 - 38 - Defect-related excess low-frequency noise in Ge-on-Si pMOSFETs(2011)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 87 - 89 - Beyond-Standard Equivalent Cell Temperature (ECT) Evaluation(2021)
Auteurs: Georgi Yordanov, Gofran Chowdhury, Jens Moschner
Pagina's: 820 - 824Aantal pagina's: 5 - Influence of the sidewall crystal orientation, HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on n-MuGFETs under analog operation(2011)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 146 - 151 - Transient characteristics of the reset programming of a phase-change line cell and the effect of the reset parameters on the obtained state(2009)
Auteurs: Kristin De Meyer
Pagina's: 1499 - 1506