< Terug naar vorige pagina
Organisatie
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems
Division
Hoofdorganisatie:Departement Elektrotechniek (ESAT)
Tijdsduur:1 aug 2020 → Heden
Organisatieprofiel:
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Trefwoorden:Integrated circuits, Processing, Submicron, VLSI, Digital design
Disciplines:Ontwerptheorieën en -methoden, Nanotechnologie
Projecten
31 - 40 of 52
- Werklastafhankelijke mitigatiebenaderingen voor prestatievariabiliteit: zorgen voor timinggaranties van geïntegreerde schakelingenVanaf1 aug 2019 → 11 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Het plaatsen van data in een hybride geheugenhiërarchie van non-volatiele caches en scratchpadsVanaf20 mei 2019 → 20 mei 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Karakterisering en modellering van de kwantum-klassieke interface voor schaalbare supergeleidende kwantumcomputersVanaf31 jan 2019 → 1 dec 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Circuitverkenning van laag vermogen ultralage spanning detectorcircuits in het THz-bereik voor plasmongolf berekeningen.Vanaf7 sep 2018 → 30 jun 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Variatie van prestaties in digitale systemen: Applicatie afhankelijke modellering en mitigatieVanaf22 nov 2017 → 14 jan 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Het begrijpen en verkennen van de energieopbrengst van nextgeneration PV-modulesVanaf6 nov 2017 → 6 nov 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 1427
- Electrical Activity of Iron and Copper in Si, SiGe and Ge(2018)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 125 - 196Aantal pagina's: 72 - Overall Framework for Exploration(2010)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 83 - 113Aantal pagina's: 31 - Effects of Processing and Radiation Bias on Leakage Currents in Ge pMOSFETs(2010)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 3066 - 3070 - Gate-length dependent radiation damage in 2-MeV electron-irradiated Si1-xGexS/D p-MOSFETs(2012)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 235 - 238 - High mobility and quantum well transistors. Design and TCAD simulation(2013)
Auteurs: Geert Hellings, Kristin De Meyer
- Influence of the drain bias and gate length ofpartially depleted SOI MOSFETs on the ZTC niasing point(2008)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 243 - 252 - Address generation optimization for embedded high-performance processors: a survey(2008)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 271 - 284 - Carrier lifetime analysis in thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by gate-induced drain current tranients(2008)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 161 - 165 - DC and noise performances of SOI FinFETs at very low temperature(2012)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 13 - 14 - Matlab to C compilation targeting Application Specific Instruction Set Processors(2016)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 1453 - 1456Aantal pagina's: 4