< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Modeling of the Vertical Leakage Current in AlN/Si Heterojunctions for GaN Power Applications
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 2
Volume: 67
Pagina's: 595 - 599
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:2
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed