< Terug naar vorige pagina

Publicatie

A deep level transient spectroscopy study of hole traps in GexSe1-x-based layers for ovonic threshold switching selectors

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY

ISSN: 2162-8777

Issue: 4

Volume: 9

Jaar van publicatie:2020

WoS Id: 000531446700002
DOI: https://doi.org/10.1149/2162-8777/ab8b70
Handle: http://hdl.handle.net/1854/LU-8660615

Toegankelijkheid:Closed

Zie ook: A Deep Level Transient Spectroscopy Study of Hole Traps in GexSe1-x-based Layers for Ovonic Threshold Switching Selectors