< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Extensive assessment of the charge-trapping kinetics in InGaAs MOS gate-stacks for the demonstration of improved BTI reliability
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714
Volume: 115
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Private, Higher Education
Toegankelijkheid:Open