ICP-CVD systeem voor de depositie van diëlektrische lagen van hoge kwaliteit op lage temperatuur

Het doel van dit project is het verwerven van een ICP-CVD toestel voor de depositie van diëlektrische lagen zoals silicium oxide en silicium nitride. Gebruikmakend van dit toestel zullen we vervolgens zowel golfgeleiders met ultra-lage verliezen realizeren als microlasers gebaseerd op hybride stacks van colloidale quantum dots en dielectrische mantellagen. Het feit dat de ICP-CVD techniek toelaat deze mantellagen te deponeren bij veel lagere temperaturen dan klassieke depositietechnieken is daarbij essentieel gezien de gevoeligheid van de quantum dots voor externe invloeden. De golfgeleiders met ultralage verliezen zijn dan weer een essentiële bouwblok bij de realisatie van kamlasers en lasers met lage ruis, beide sterk in vraag voor applicaties in metrologie en spectroscopie.