< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Atomic-scale investigations on the wet etching kinetics of Ge versus SiGe in acidic H2O2 solutions: a post operando synchrotron XPS analysis
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: Journal of Materials Chemistry C
ISSN: 2050-7526
Issue: 29
Volume: 8
Pagina's: 10060 - 10070
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:3
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed