< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Strain relaxation, extended defects and doping effects in InxGa1-xN/GaN heterostructures investigated by surface photovoltage
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: Applied Surface Science
ISSN: 0169-4332
Volume: 515
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:2
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed