Technology Integration of GaN-on-Si HEMTs for Power Electronics Applications (Integratie van technologie van GaN-op-Si HEMTs voor vermogenselektronica toepassingen) KU Leuven
In dit proefschrift hebben we GaN-op-Si HEMTs (Gallium-nitride sensoren met hoge elektronen mobiliteit) onderzocht. III-nitride (III-N) materialen (GaN, AlGaN, AlN) zijn zeer nuttig voor toepassingen waarbij hoge spanningen en/of hoge temperaturen vereist zijn, vanwege hun uitstekende intrinsieke eigenschappen zoals grote bandgap en lage intrinsieke ladingsconcentratie. De III-N hetero-structuur (AlGaN/GaN) leidt tot de vorming van een 2-DEG ...