Epitaxiale groei bij lage temperatuur en materiaal karakterisatie van Ga + B co-gedoteerd Si1-xGex met het oog op elektrische component toepassingen KU Leuven
De continue miniaturisatie van geĆÆntegreerde schakelingen (ICās) vergt een verkleining van de individuele componenten, het gebruik van nieuwe materialen en het ontwerp van steeds maar nieuwe componenten. Een reductie van de transistor afmetingen verkleint het oppervlakte van de source en drain (S/D) gebieden waardoor hun contactweerstand toeneemt en de prestaties van de transistor afneemt. De klassieke aanpak van dit probleem, nl. het ...