Studie op atomaire schaal van paramagnetische defecten in 2-dimensionale halfgeleiderlagen: MoS2 KU Leuven
Al decennia lang streeft de halfgeleiderindustrie naar de miniaturisatie van de transistor. Conventionele op Si gebaseerde apparaten bereiken echter hun schaallimieten, omdat ongewenste ‘fysische’ effecten opduiken wanneer deze transistoren extreem verkleind worden. Een mogelijke oplossing om deze problemen met betrekking tot elektrostatische controle en lithografie op te lossen, is het incorporeren van nieuwe 2D-materialen in toekomstige ...