Projecten
Geünificeerd fysica-gebaseerd model van degradatie van finFETs en nanodraad FETs voor verder dan 7 nm technologieën KU Leuven
De halfgeleiderindustrie volgt de wet van Moore en voert ongeveer elke twee jaar een nieuwe MOSFET technologie in (Engels: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Nederlands: Metaal Oxide Halfgeleider Veldeffect Transistor). Hoewel oorspronkelijk eenvoudige geometrische transistorverkleining voldoende was om in elke nieuwe generatie een verdubbeling van het aantal transistoren met verhoogde performantie op chip te bekomen, ...
Kwantummechanisch transport in heterostructuur-tunnel-veldeffecttransistoren voor toekomstige ultralaagvermogen-nano-CMOS-toepassingen. KU Leuven
De schaling van de metaal-oxide-halfgeleider-veldeffecttransistor (MOSFET) is sinds de jaren 1960 de drijvende kracht achter de enorme toename in computationele kracht van alledaagse electronica. Tegenwoordig bereikt deze trend zijn limieten, omdat de voedingsspanning van de MOSFET niet meer op hetzelfde tempo kan geschaald worden als de componentafmetingen. Dit komt door een onderlimiet op de subthreshold swing (SS). Het gevolg is dat de ...
Laag-dimensionale elektrische biosensoren voor labelvrij multiplex biosensing KU Leuven
De versmelting van technologie met biologie heeft geleid tot een aanzienlijke verbetering van zowel de kwaliteit als de levensduur van de mens. Dit is meer dan duidelijk in de huidige COVID-19-situatie waarin ziekenhuizen en de farmaceutische industrie in staat zijn om snel miljoenen mensen te testen, intensieve zorg te verlenen aan mensen in kritieke toestand en het onderzoek naar vaccins te versnellen, dankzij de ondersteuning van ...
Experimentele studie naar thermionisch 'koude' elektron- en gatenemitters in laagdimensionale materiaalsystemen voor verdere schaling van logische componenten KU Leuven
Laagdimensionale materialen, zoals grafeen, TMDs en koolstofnanobuisjes zijn veelbelovend in de context van nieuwe elektronica componenten, in het bijzonder als kanaalmaterialen voor de veldeffecttransistoren van de toekomst. Nu we het post-siliciumtijdperk naderen, is het noodzakelijk om experimenteel te verifiëren dat het gebruik van deze materialen effectief de huidige beperkingen van op silicium gebaseerde transistors kan overwinnen, ...
Monolithische integratie van nanopore FETs voor ultragevoelige detectie van enkelvoudige moleculen zonder gebruik te maken van merkers KU Leuven
CMOS-technologie is de afgelopen decennia enorm vooruitgegaan. In parallel met de verbeteringen in rekenkracht zijn ook biosensoren intensief ontwikkeld en hebben ze een breed scala aan toepassingen in de levenswetenschappen mogelijk gemaakt. Onder hen bieden nanoporiën een uniek voordeel.
Het grote nadeel van traditionele nanogaatjes is echter de extreem lage ionenstroom, waardoor het moeilijk is om deze met hoge snelheid uit te lezen ...
Ontwerp van opto - elektronische eigenschappen in tweedimensionale materialen door verbeterde flexoelectric koppeling. Universiteit Antwerpen
2D overgangsmetaal dichalcogenides voor dan silicium logische bouwstenen: betere Metaal / MoS2-interface door moleculaire doping. KU Leuven
2D materialen hebben aangetoond een enorm potentieel te beritten vooreen groot aantal toepassingen zoals sensoren, spintronica, supergeleiders, en (foto)elektronica schakelingen. Van deze 2D materialen zijn halfgeleidende transitie metaal dichalcogeniden (MX2) van bijzonder belang voor elektronisch logische schakelingen zoals “Field Effect Transistors” (FETs), gezien hun interessante eigenschappen, zoals ultradunne natuur en een ...
Geavanceerde Elektrische Karakterisering met Machine Learning: Apparaatinformatie Extraheren met Minder Gegevens KU Leuven
MetalOxide Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET's) zijn tegenwoordig een essentiële bouwsteen voor alle elektronische systemen. De integratie van een groot aantal kleine MOSFET's in een compacte chip resulteerde in kleinere, snellere en goedkopere circuits dan op discrete elektronische componenten gebaseerde circuits. Deze transistors zijn samengesteld uit enkele poorten op siliciumbulk of op isolatoren (SOI), tri-poorten (FinFET) ...