Elektronisch gedrag in het 2D transitie-metaal-dichalcogenide MOS systeem KU Leuven
Technologische vooruitgang wordt aangedreven door het verkleinen van de
kanaallengte en de dikte van de halfgeleider die de prestaties van een MOSFET
verbeteren. 2D halfgeleiders, zoals overgangsmetaaldichalcogeniden (MX2),
zijn van der Waals (vdW) gelaagde structuren met één laag 0.7 nm dik
en zelf-beëindigde oppervlakken zonder bungelende bindingen. Ze bieden
de belofte van ultradunne kanalen met hoge mobiliteit ...