< Terug naar vorige pagina

Publicatie

MoS2/MoTe2 Heterostructure Tunnel FETs Using Gated Schottky Contacts

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: Advanced Functional Materials
ISSN: 1616-301X
Issue: 4
Volume: 30
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:10
CSS-citation score:2
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed