< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Transactions on Power Electronics
ISSN: 0885-8993
Issue: 5
Volume: 36
Pagina's: 4927 - 4930
Jaar van publicatie:2021
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:6
CSS-citation score:2
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open