< Terug naar vorige pagina

Project

Toekomstige generatie fotomaskers voor geavanceerde lithografie

Het promotie-onderzoeksthema 'Fotomaskers van de toekomst voor geavanceerde lithografie' omvat fundamenteel begrip en nieuwe oplossingen voor fotomaskers die lithografie van de volgende generatie mogelijk maken door simulatiemodellering, experimentele karakterisering en verificatie van beeldvorming. Optische lithografie is het fundamentele proces bij de vervaardiging van microchips waarbij de patronen van het fotomasker op een siliciumwafer worden overgebracht met behulp van een optisch reductiesysteem. Omdat de industrie geobsedeerd is door kleinere afmetingen, is het gebruik van een kleinere golflengte van licht zoals 13,5 nm in het EUV-bereik onmisbaar. Aldus naderen de kenmerkafmetingen op fotomasker nu de afmetingen van de optische golflengte, wat nieuwe optische effecten genereert. Deze effecten moeten worden begrepen om de beeldvorming nauwkeurig te voorspellen en te beheersen. Het doel is om innovatieve oplossingen en technologieën voor fotomaskers te onderzoeken om lithografie van de volgende generatie mogelijk te maken. We zullen de optische eigenschappen, stabiliteit en reactiviteit van nieuwe maskermaterialen onderzoeken via complementaire karakterisatietechnieken zoals EUV Reflectometry (EUVR), Transmission Electron Microscopy (TEM), X-Ray Diffractometry (XRD), X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). We zullen dit combineren met rigoureuze simulaties op basis van elektromagnetische golftheorie van licht en lithografieprocesmodel om een grondig inzicht te krijgen in de optische effecten die worden waargenomen op het fotomasker en hoe deze worden overgedragen naar het waferniveau. Op basis van modelvoorspellingen en maskervereisten kan een prospectief materiaal worden geïdentificeerd en wordt een daadwerkelijk fotomasker met geselecteerde geometrieën gefabriceerd om de beeldvormingsprestaties te onderzoeken en te valideren.worden geïdentificeerd en wordt een echt fotomasker met geselecteerde geometrieën vervaardigd om de beeldvormingsprestaties te onderzoeken en te valideren.

Datum:9 okt 2019  →  Heden
Trefwoorden:EUV Photomask
Disciplines:Optische eigenschappen van materialen, Fysische chemie van materialen
Project type:PhD project