Large grain defect free polycrystalline silicon thin film solar cells based on a seed layer approach

Een dunne fim van polykristallijn silicium(pc-Si) met grote korrels en zonder defecten is een veel belovend materiaal voor goedkope zonnecellen.Een dunne pc-Si laag kan gegroeid worden op een goedkoop niet Si substraat door Aluminium geinduceerde kristallisatie(AIC) en deze laag kan gebruikt worden als een zaadlaag voor het epitaxiaal aangroeien. Zonnecellen bereid met deze techniek hebben rendementen van 8% bereikt en zijn vooral beperkt door de elektrisch actieve intra-korrel defecten die ontstaan in de AIC zaadlaag. Grote concentraties van metaal onzuiverheden werden gemeten in de zaadlaag en zijn een mogelijke oorzaak van de elektrischactieve korrel grenzen en defecten. Deze doctoraatstudie focuseert op de eliminatie van metaal onzuiverheden en de reductie van elektrisch actieve defecten. Twee benaderingen worden gevolgd, i) gettering van onzuiverheden vanuit de onzuivere pc-Si laag en ii) vermijden van contaminatie tijdens het kristallisatie proces zelf. Indien een pc-Si laag van goede kwaliteit bekomen wordt kunnen efficiente zonnecellen gemaakt worden.

Trefwoorden:Solar cells, Thin film

Disciplines:Andere ingenieurswetenschappen en technologie

Project type:PhD project