Afstembare anisotropie in het vlak en uit het vlak van twee dimensionele materialen.

Tweedimensionale (2D) enkellaagse materialen zijn momenteel een zeer belangrijk onderwerp in de materiaalwetenschap vanwege hun unieke eigenschappen. Een bepaalde klasse van dergelijke materialen is er een die met lage symmetrie en met anisotropie belangrijke kandidaten zijn voor verschillende toepassingen in nanotechnologie, gaande van opto-elektronische tot spin-gebaseerde apparaten en zelfs tot veldeffecttransistors (FET) en nano optische golfgeleiderpolarisatoren. De voorspelling van nieuwe stabiele anisotrope enkellaags kristallen en een beter begrip van hun fysische eigenschappen is erg belangrijk. Het begrijpen van hun Raman-spectrum is essentieel bij het onderscheiden van de verschillende structurele fasen en bij het bepalen van de kristaloriëntatie van het materiaal. Het huidige project presenteert een methode om de kristaloriëntatie van anisotrope materialen te bepalen door middel van resonante Raman-metingen van zowel Raman-spectra van de eerste als van de tweede orde. Ik zal bijdragen aan de studie van resonantie Raman-verstrooiing van de eerste en tweede orde in anisotrope materialen, waaruit informatie over de elektron-fonon- en exciton-fonon-interacties kan worden verkregen. Deze zijn erg belangrijk voor het begrijpen van licht-materie-interacties. Bovendien zijn 2D-materialen vaak onderworpen aan uitwendige krachten zoals spanning en ladingsoverdracht naar of van het substraat. Daarom zullen deze effecten op de fysische eigenschappen van anisotrope materialen grondig worden onderzocht.

Trefwoorden:ANISOTROPIE

Disciplines:Klassieke fysica, Elementaire deeltjesfysica en hoge-energie fysica, Andere fysica