< Terug naar vorige pagina
Organisatie
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems
Division
Hoofdorganisatie:Departement Elektrotechniek (ESAT)
Tijdsduur:1 aug 2020 → Heden
Organisatieprofiel:
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Trefwoorden:Integrated circuits, Processing, Submicron, VLSI, Digital design
Disciplines:Ontwerptheorieën en -methoden, Nanotechnologie
Huidige onderzoekers
1 - 10 of 23 results
- Jo De Boeck (Verantwoordelijke)
- Rohith Acharya (Lid)
- Kamal Brahim (Lid)
- Francky Catthoor (Lid)
- Yukai Chen (Lid)
- Jo De Boeck (Lid)
- Roger De Keersmaecker (Lid)
- Anxhela Doko (Lid)
- Max Gama Monteiro Junior (Lid)
- Benjamin Gys (Lid)
Projecten
1 - 10 of 52
- Ab-initio NEGF transport voor nieuwe generatie energie efficiente 2D materiaal transistoren zoals Koude-bron-, Dirac- en Van der Waals- tunnel FETsVanaf26 jan 2024 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Experimentele studie naar thermionisch 'koude' elektron- en gatenemitters in laagdimensionale materiaalsystemen voor verdere schaling van logische componentenVanaf10 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geintegreerde 3D geheugenopslag componenten met back-gating.Vanaf19 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Monte Carlo-modellering van elektronentransport in laag-dimensionale materialenVanaf18 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Hardware-efficiënte microarchitectuur en kwantumfoutcorrectiecodes voor grootschalige kwantumprocessorsVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO mandaten
- Het gebruik van qutrits en qudits voor fout tolerante kwantum computatieVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modelleren van ME² apparaten voor hybride spintronic-CMOS logische circuitsVanaf21 sep 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
411 - 420 van 1437
- Influence of the source composition on the analog performance parameters of vertical nanowire-TFETs(2015)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 16 - 22 - Compressively strained SiGe band-to-band tunneling model calibration based on p-i-n diodes and prospect of strained SiGe tunneling field-effect transistors(2014)
Auteurs: Kuo-hsing Kao, Anne Verhulst, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Kristin De Meyer
Pagina's: 1 - 11 - Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs(2015)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 209 - 215 - Fin dimension influence on mechanical stressors in triple-gate SOI nMOSFETs(2013)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 187 - 192 - Configuration mapping algorithms to reduce energy and time reconfiguration overheads in reconfigurable systems(2014)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 1248 - 1264 - The activation energy dependence on the electric field in UTBOX SOI FBRAM devices(2013)
Auteurs: Cor Claeys
Aantal pagina's: 2 - Demonstrating HW-SW transient error mitigation on the single-chip cloud computer data plane(2015)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 507 - 519 - Effect of Ta Insertion in Reference Layers of MTJs With Perpendicular Anisotropy(2014)
Auteurs: Sven Cornelissen
- Au-free AlGaN/GaN power diode on 8 in Si substrate with gated edge termination(2013)
Auteurs: Jie Hu, Shuzhen You
Pagina's: 1035 - 1037 - On the oxide trap density and profiles of 1-nm EOT metal-gate last CMOS transistors assessed by low-frequency noise(2013)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 3849 - 3855