< Terug naar vorige pagina
Organisatie
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems
Division
Hoofdorganisatie:Departement Elektrotechniek (ESAT)
Tijdsduur:1 aug 2020 → Heden
Organisatieprofiel:
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Trefwoorden:Integrated circuits, Processing, Submicron, VLSI, Digital design
Disciplines:Ontwerptheorieën en -methoden, Nanotechnologie
Huidige onderzoekers
1 - 10 of 23 results
- Jo De Boeck (Verantwoordelijke)
- Rohith Acharya (Lid)
- Kamal Brahim (Lid)
- Francky Catthoor (Lid)
- Jo De Boeck (Lid)
- Roger De Keersmaecker (Lid)
- Anxhela Doko (Lid)
- Max Gama Monteiro Junior (Lid)
- Benjamin Gys (Lid)
- Vaishnavi Kateel (Lid)
Projecten
1 - 10 of 52
- Ab-initio NEGF transport voor nieuwe generatie energie efficiente 2D materiaal transistoren zoals Koude-bron-, Dirac- en Van der Waals- tunnel FETsVanaf26 jan 2024 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Experimentele studie naar thermionisch 'koude' elektron- en gatenemitters in laagdimensionale materiaalsystemen voor verdere schaling van logische componentenVanaf10 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geintegreerde 3D geheugenopslag componenten met back-gating.Vanaf19 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Monte Carlo-modellering van elektronentransport in laag-dimensionale materialenVanaf18 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Hardware-efficiënte microarchitectuur en kwantumfoutcorrectiecodes voor grootschalige kwantumprocessorsVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO mandaten
- Het gebruik van qutrits en qudits voor fout tolerante kwantum computatieVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modelleren van ME² apparaten voor hybride spintronic-CMOS logische circuitsVanaf21 sep 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
401 - 410 van 1403
- TaN Versus TiN Metal Gate Input/Output pMOSFETs: A Low-Frequency Noise Perspective(2018)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 3676 - 3681 - Doping-Free Complementary Logic Gates Enabled by Two-Dimensional Polarity - Controllable Transistors(2018)
Auteurs: Yashwanth Balaji, Iuliana Radu, Francky Catthoor
Pagina's: 7039 - 7047 - Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100K(2018)
Auteurs: Cor Claeys
- Band-Tails Tunneling Resolving the Theory-Experiment Discrepancy in Esaki Diodes(2018)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 633 - 641 - Large Variation in Temperature Dependence of Band-to-Band Tunneling Current in Tunnel Devices(2019)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 1864 - 1867 - Nanoprober-based EBIC measurements for nanowire transistor structures(2013)
Auteurs: Andreas Schulze, Anne Verhulst, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 99 - 102 - Assessing Charge Carrier Trapping in Silicon Nanowires Using Picosecond Conductivity Measurements(2012)
Auteurs: Rufi Kurstjens
Pagina's: 3821 - 3827 - Test structures for characterization of through-silicon vias(2012)
Auteurs: Guruprasad Katti, Wim Dehaene
Pagina's: 355 - 364 - Low-frequency noise studies on fully depleted UTBOX silicon-on-insulator nMOSFETs: challenges and opportunities(2013)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: Q205 - Q210 - Role of copper in time dependent dielectric breakdown of porous organo-silicate glass low-k materials(2011)
Auteurs: Christopher Wilson, Cor Claeys
Pagina's: 222110