< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Annelies Delabie
- Disciplines:Fysische chemie, Theoretische en computationele chemie, Andere chemie, Biochemie en metabolisme, Medische biochemie en metabolisme, Atmosferische wetenschappen
Affiliaties
- Kwantumchemie en Fysicochemie (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2012 → Heden
Projecten
1 - 10 of 19
- Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagenVanaf20 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Bottom-up depositie op atomair niveau: selectieve depositie van Si-gebaseerde dielectrica en toepassing in IC manufacturingVanaf15 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturenVanaf20 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Regio-selectieve depositiemechanismes in patronen met nanoschaal afmetingenVanaf11 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursorenVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Alternatieve halfgeleider oxides voor toekomstige DRAM toepassingenVanaf25 mei 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Creëren van diëlektrische lagen op tweedimensionale (2D) halfgeleiders: chemische en fysische mechanismenVanaf18 jan 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Mechanismen en selectiviteit tijdens atomaire laagafzetting van germanium-chalcogeniden voor geheugentoepassingen van opslagklassenVanaf1 okt 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Diëlektrische nanobladen voor geschaalde tweedimensionale (2D) materiaalapparatenVanaf22 jan 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Naar grafoepitaxy van halfgeleidende 2D monokristallen op een diëlektrisch substraat voor nano-elektronische apparaten van de volgende generatieVanaf5 jan 2021 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
141 - 150 van 180
- Ozone-Based Metal Oxide Atomic Layer Deposition: Impact of N-2/O-2 Supply Ratio in Ozone Generation
Auteurs: Annelies Delabie, Jozef Peeters
Pagina's: II176 - II178 - Quasi 2D Si-O Superlattices for Future Nanoelectronic Applications
Auteurs: Suseendran Jayachandran, Marc Heyns, Annelies Delabie
- HfO2 atomic layer deposition using HfCl4/H2O: the first reaction cycle
Auteurs: Annelies Delabie, Marc Heyns, Chris Vinckier, Stefan De Gendt
Pagina's: 257 - 267 - Silicon orientation effects in the atomic layer deposition of Hafnium oxide
Auteurs: Laura Nyns, Annelies Delabie, Marc Heyns, Chris Vinckier, Stefan De Gendt
Pagina's: G9 - G12 - Enhancing Performance and Function of Polymethacrylate Extreme Ultraviolet Resists Using Area-Selective Deposition
Auteurs: Annelies Delabie
Pagina's: 2016 - 2026 - Impact of the starting surface on the film characteristics of thermal Ru ALD for metal-insulator-metal applications
Auteurs: Annelies Delabie, Benjamin Groven, Johan Meersschaut
- New Mechanisms for Ozone-Based ALD Growth of High-k Dielectrics via Nitrogen-Oxygen Species
Auteurs: Annelies Delabie
Pagina's: 91 - 99 - Impact of Precursor Chemistry and Process Conditions on the Scalability of ALD HfO2 Gate Dielectrics
Auteurs: Annelies Delabie, Stefan De Gendt
Pagina's: G26 - G31 - HfO2 Atomic Layer Deposition Using HfCl4/H2O: The First Reaction Cycle
Auteurs: Laura Nyns, Annelies Delabie, Marc Heyns, Chris Vinckier, Stefan De Gendt
Pagina's: G269 - G273 - Mechanisms for undesired nucleation on H-terminated Si and dimethylamino-trimethylsilane passivated SiO2 during TiO2 area-selective atomic layer deposition
Auteurs: Annelies Delabie
Patenten
1 - 10 van 10
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- A method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- A method for forming a silicide gate for a semiconductor device (Inventor)
- Method of producing transition metal dichalcogenide layer (Inventor)
- Method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- Method of forming a feature of a target material on a substrate (Inventor)
- METHOD OF PRODUCING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE LAYER (Inventor)
- Method for selectively depositing noble metals on metal/metal nitride substrates (Inventor)
- Oxygen monolayer on a semiconductor (Inventor)