Onderzoeker
Annelies Delabie
- Disciplines:Fysische chemie, Theoretische en computationele chemie, Andere chemie, Biochemie en metabolisme, Medische biochemie en metabolisme, Atmosferische wetenschappen
Affiliaties
- Kwantumchemie en Fysicochemie (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2012 → Heden
Projecten
1 - 10 of 19
- Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagenVanaf20 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Bottom-up depositie op atomair niveau: selectieve depositie van Si-gebaseerde dielectrica en toepassing in IC manufacturingVanaf15 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturenVanaf20 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Regio-selectieve depositiemechanismes in patronen met nanoschaal afmetingenVanaf11 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursorenVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Alternatieve halfgeleider oxides voor toekomstige DRAM toepassingenVanaf25 mei 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Creëren van diëlektrische lagen op tweedimensionale (2D) halfgeleiders: chemische en fysische mechanismenVanaf18 jan 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Mechanismen en selectiviteit tijdens atomaire laagafzetting van germanium-chalcogeniden voor geheugentoepassingen van opslagklassenVanaf1 okt 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Diëlektrische nanobladen voor geschaalde tweedimensionale (2D) materiaalapparatenVanaf22 jan 2021 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Naar grafoepitaxy van halfgeleidende 2D monokristallen op een diëlektrisch substraat voor nano-elektronische apparaten van de volgende generatieVanaf5 jan 2021 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
131 - 140 van 180
- Atomic Layer Deposition of Ruthenium on a Titanium Nitride Surface: A Density Functional Theory Study
Auteurs: Quan Phung, Steven Vancoillie, Geoffrey Pourtois, Johan Swerts, Kristine Pierloot, Annelies Delabie
Pagina's: 19442 - 19453 - On the process and material sensitivities for high-k based dielectrics
Auteurs: Annelies Delabie, Adrien Hardy, Jorge Kittl
Pagina's: 693 - 698 - Comparison between Si/SiO2 mid-gap interface states and deep levels associated with silicon-oxygen superlattices in p-type silicon
Auteurs: Eddy Simoen, Suseendran Jayachandran, Annelies Delabie, Matty Caymax, Marc Heyns
Pagina's: 718 - 723 - Replacing SiO2 - Material and processing aspects of new dielectrics
Auteurs: Stefan De Gendt, Annelies Delabie
Pagina's: 3 - 13 - Characterization of Porous Structures in Advanced Low-k Films with Thin TaN Layers Using Monoenergetic Positron Beams
Auteurs: Akira Uedono, Patrick Verdonck, Annelies Delabie, Johan Swerts, Thomas Witters, Thierry Conard, Mikhail R Baklanov, Sven Van Elshocht, Nagayasu Oshima, Ryoichi Suzuki
- Nucleation and Growth Mechanisms of 2D Semiconductor/high-k Dielectric Heterostacks
Auteurs: Haodong Zhang, Annelies Delabie, Wilfried Vandervorst
- S-passivation of the Ge gate stack: Tuning the gate stack properties by changing the atomic layer deposition oxidant precursor
Auteurs: Han Chung Lin, Annelies Delabie, Stefan De Gendt
- Atomic layer deposition of 2D transition metal dichalogenides
Auteurs: Annelies Delabie, Matty Caymax, Benjamin Groven, Markus Heyne, Karel Haesevoets, Johan Meersschaut, Thomas Nuytten, Hugo Bender, Thierry Conard, Patrick Verdonck, et al.
Pagina's: 16 - 17 - Chemisorption Reaction Mechanisms for Atomic Layer Deposition of High-k Oxides on High Mobility Channels
Auteurs: Annelies Delabie, Kristine Pierloot
Pagina's: 343 - 353 - Capacitance-voltage characterization of GaAs-Al₂O₃ interfaces
Auteurs: Han Chung Lin, Koen Martens, Annelies Delabie, Marc Heyns
Pagina's: 1 - 3
Patenten
1 - 10 van 10
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- Method of manufacturing a semiconductor structure (Inventor)
- A method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- A method for forming a silicide gate for a semiconductor device (Inventor)
- Method of producing transition metal dichalcogenide layer (Inventor)
- Method for forming a vertical hetero-stack and a device including a vertical hetero-stack (Inventor)
- Method of forming a feature of a target material on a substrate (Inventor)
- METHOD OF PRODUCING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE LAYER (Inventor)
- Method for selectively depositing noble metals on metal/metal nitride substrates (Inventor)
- Oxygen monolayer on a semiconductor (Inventor)