Geavanceerde stralingstolerante CMOS-oscillatoren

Single Event Effects (SEES) worden meestal beschouwd als een resultaat van ladingsverzameling in de source/drain-overgangen van een MOS-transistor die aanleiding geeft tot Single-Event Phase Transients in de oscillator. Onlangs hebben we een baanbrekende ontdekking gedaan van een secundair en bovendien dominant mechanisme LC-oscillatoren dat wordt veroorzaakt door elektronen- en gatenparen gegenereerd in de oxiden (SiO2) rondom de spiraalinductor die Single-Event Frequency Transients (SEFT) veroorzaken. Hoewel inductoren passieve structuren zijn, kan hun elektromagnetisch gedrag (parasitaire capaciteit) worden beïnvloed door vrije ladingen in en rond hun geometrie. Het belangrijkste doel van het project is om dit mechanisme te begrijpen en technieken te ontwikkelen om de impact op LC-oscillatoren te verminderen.