< Terug naar vorige pagina

Project

Stralingshardheid van moderne CMOS beeldopnemers.

De effecten van straling op CMOS beeldopnemers (CIS) zijn reeds goed in kaart gebracht. Dit was echter steeds bepoerkt tot pixels die met een “rollende sluiter” werken, in een klassieke 3- of 4-transistor pixelconfiguratie. In tussentijd werden vele nieuwe processtappen ingevoerd in beeldopnemertechnologie en zijn er verschillende nieuwe pixelstructuren voorgesteld, zoals pixels met globale sluiters, en pixels voor 3D “Time-of-Flight” (TOF) beeldvorming. Er is nog maar weinig geweten over de stralingshardheid van dergelijke sensoren. Dit project tracht de eerste stappen te zetten daarin, gebaseerd op standaardcomponenten. Dit moet de aanleiding geven tot opvolgprojecten in dit domein.
Datum:1 okt 2021 →  30 sep 2023
Trefwoorden:CMOS image sensor, Pixel, radiation-tolerant CMOS
Disciplines:Analoge, RF- en mixed-signal geïntegreerde circuits, Elektronisch circuit- en systeembetrouwbaarheid, Telecommunicatie en remote sensing