< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Modeling of Repeated FET Hot-Carrier Stress and Anneal Cycles Using Si-H Bond Dissociation/Passivation Energy Distributions

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 4
Volume: 68
Pagina's: 1454 - 1460
Jaar van publicatie:2021
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open