< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 2
Volume: 68
Pagina's: 645 - 652
Jaar van publicatie:2021
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open