Diepgaande materiaalstudie voor toepassingen van SOT-MRAM

Meerdere opstakels moeten worden opgelost om SOT-MRAM te ontwikkelen tot een energie-efficiënt geheugencomponent. Eerst en vooral moet de efficiëntie van deze technologie verhoogd worden. Daarom worden alternatieve SOT materialmen onderzocht, o.a. topologische insulatoren en 2D-materialen. Naast deze materiaaleigenschappen, is het beheersen van de eigenschappen van het raakvlak tussen de metalen SOT-strook en de 'storage layer', van even cruciaal belang om the spintransmissie-effiëntie te maximaliseren. Een tweede belangrijke uitdaging is het bekomen van een 'free layer'-structuur dat zowel compatibel is met standaard MgO-gebaseerde tunneljuncties en ook hierboven genoemde specifieke SOT materialen. Er wordt verwacht dat het koppelen met geavanceerde materialen zoals topologische insulatoren nodig zijn om nieuwe magnetische gelamineerde 'free layer'-structuur te bekomen.