Nieuwe Plasma Technieken voor 2D materiaal processen.

De drang om immense datasets te verwerven en verwerken, steunt op de productie van snellere en kleinere transistoren. Hiervoor is een verdere groei van de bestaande halfgeleidertechnologie vereist. Hedendaags silicium gebaseerde veldeffecttransistoren naderen dimensies van slechts enkele atomen, wat gepaard gaat met een slechtere werking vanwege het 'short-channel effect'. Recent werd aangetoond dat tweedimensionale (2D) halfgeleiders zoals transitiemetaal dichalcogenides (TMD’s) potentieel als alternatief kunnen dienen voor de bestaande silicium gebaseerde transistoren. Enkele belangrijke nadelen met betrekking tot 'contact', dopering en ladingdragers moeten worden opgelost om de superieure eigenschappen van 2D-TMDC's in praktische toepassingen volledig te kunnen benutten. Over het algemeen maakt men gebruik van plasmaprocessen voor de verwerking van halfgeleiders. Deze processen maken een grote verscheidenheid aan modificaties op nanometerschaal mogelijk met een hoge doorvoer en kunnen mogelijkerwijs gebruikt worden voor de behandelingen van 2DTMDC- materialen. Aanzienlijke inspanningen zijn vereist om het gehele potentieel van 2D-TMDCs te benutten en de beperkingen van hun verwerking met plasma’s te begrijpen. Het doel van het voorgestelde PhD project is het ontwikkelen van nieuwe plasmagebaseerde methodes voor the etsen, reinigen, doperen en ‘defect engineering’ van 2D-TMDCs met het oog op een bevorderlijke verwerkbaarheid en gunstigere apparaatkenmerken.