< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Observation of Dynamic VTH of p-GaN Gate HEMTs by Fast Sweeping Characterization

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: IEEE Electron Device Letters
ISSN: 0741-3106
Issue: 4
Volume: 41
Pagina's: 577 - 580
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:3
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed