< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Analysis of Transferred MoS2 Layers Grown by MOCVD: Evidence of Mo Vacancy Related Defect Formation
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: Ecs Journal Of Solid State Science And Technology
ISSN: 2162-8769
Issue: 9
Volume: 9
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open