< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Origin of High Current and Illumination Stress Instability in Self-Aligned a-InGaZnO Thin Film Transistors With Al2O3 as High-kappa Gate Dielectric
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Electron Device Letters
ISSN: 0741-3106
Issue: 4
Volume: 41
Pagina's: 565 - 568
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed