Karakterisatie van ultra dunne film fotosresist voor hoge resolutie in Extreem Ultraviolet Lithografie

Een grote uitdaging voor fotoresist technologie is het ontwikkelen van een resist platform dewelke het mogelijk maakt om de continue kleiner wordende elementen te printen, tot 8 nm voor high-NA lithografie tegen 2024, binnen de specificaties voor resolutie, lijnrand ruwheid, linebreedte ruwheid en sensitiviteit. Om dit te bewerkstelligen is het noodzakelijk parameters te kwantificeren die de performantie van patroonvorming in extreme ultraviolet (EUV) licht beinvloeden op het niveau van inherente resist eigenschappen. Kennis van dit onderwerp opbouwen zal de fundamentele kennis van ultra dunne resist film interacties uitbreiden en helpen een meer gerichte resist ontwikkeling mogelijk te maken voor toekomstige high-NA EUV lithografie processen.

Het hoofddoel is om kennis te vergaren hoe het verminderen van het resist volume, tot ultra dunne films (10 - 35 nm) voor toekomstige high-NA processen, de patroonvormings performantie van de resist beinvloedt. Uitdagingen die hiermee gerelateerd zijn kunnen eventueel opgelost worden door het uitbreiden van de huidige conventionele chemically amplified resist (CAR), maar het verminderde volume brengt ook andere parameters met zich mee die belangrijk worden, namelijk de resist-substraat interactie. Bijkomend, met de vordering naar high-NA EUV is de kans op het gebruiken van niet chemically amplified resist (NCAR) platformen groter. Deze resisten steunen op een andere licht-materie interactie om tot ontwikkeling te komen en zullen dus ook onderzocht worden in dit werk.