< Terug naar vorige pagina
Project
Elektrische en fysische karakterisatie van defecten op de SiC/gate dielectricum interface in SiC MOSFETs.
Dit project betreft fundamenteel kennisgrensverleggend onderzoek gefinancierd door het Agentschap innoveren en Ondernemen - Vlaanderen. Het project werd betoelaagd na selectie door het bevoegde expertpanel.
Datum:1 apr 2019 → 31 mrt 2023
Trefwoorden:VELDTRANSISTOREN, ELEKTRONISCHE PARAMAGNETISCHE RESONANTIE
Disciplines:Elektronische (transport)eigenschappen, Fysica van de gecondenseerde materie en nanofysica niet elders geclassificeerd
Project type:Samenwerkingsproject