< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Performance Comparison of s-Si, In0.53Ga0.47As, Monolayer BP- and WS2-Based n-MOSFETs for Future Technology Nodes-Part II: Circuit-Level Comparison
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 8
Volume: 66
Pagina's: 3614 - 3619
Jaar van publicatie:2019
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open