< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Lattice location study of low-fluence ion-implanted 124In in 3C-SiC
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN: 0021-8979
Issue: 21
Volume: 125
Jaar van publicatie:2019
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Higher Education
Toegankelijkheid:Open